Общество
Химики ННГУ займутся разработкой отечественного материала лазерной техники
Нижний Новгород. 3 апреля. НТА-Приволжье — Химики Нижегородского государственного университета (ННГУ) им. Н.И. Лобачевского займутся проектом «Разработка технологии и синтез высокочистого поликристаллического арсенида галлия для создания электронной компонентной базы СВЧ электроники и лазерной техники», сообщает пресс-служба вуза.
Работа будет вестись на средства гранта, который ННГУ выиграл у Российского научного фонда по выполнению прикладных научных исследований в рамках стратегических инициатив президента РФ в научно-технологической сфере в области производства оптоэлектронных приборов, в том числе полупроводниковых лазеров, микродисплеев, фотоприёмных матриц.
«Научно-технологическая проблема заключается в том, что в настоящее время в России отсутствуют собственные технологии получения высокочистого поликристаллического арсенида галлия (GaAs), необходимого для выращивания монокристаллического GaAs – базового материала СВЧ-электроники и лазерной техники. Сложившаяся в НИИ химии научная школа, опыт работы нашей лаборатории позволяют реализовать проект, направленный на выстраивание технологической цепочки производства необходимых веществ в объёме, полностью удовлетворяющем потребности внутреннего рынка, в перспективе – с выходом на внешний рынок», – рассказал руководитель проекта, заведующий Научно-исследовательской лабораторией технологии высокочистых материалов НИИ химии Университета Лобачевского Леонид Мочалов.
Проект рассчитан на три года, сумма выделенного гранта – 95 миллионов рублей.
Регион: Нижний Новгород
Работа будет вестись на средства гранта, который ННГУ выиграл у Российского научного фонда по выполнению прикладных научных исследований в рамках стратегических инициатив президента РФ в научно-технологической сфере в области производства оптоэлектронных приборов, в том числе полупроводниковых лазеров, микродисплеев, фотоприёмных матриц.
«Научно-технологическая проблема заключается в том, что в настоящее время в России отсутствуют собственные технологии получения высокочистого поликристаллического арсенида галлия (GaAs), необходимого для выращивания монокристаллического GaAs – базового материала СВЧ-электроники и лазерной техники. Сложившаяся в НИИ химии научная школа, опыт работы нашей лаборатории позволяют реализовать проект, направленный на выстраивание технологической цепочки производства необходимых веществ в объёме, полностью удовлетворяющем потребности внутреннего рынка, в перспективе – с выходом на внешний рынок», – рассказал руководитель проекта, заведующий Научно-исследовательской лабораторией технологии высокочистых материалов НИИ химии Университета Лобачевского Леонид Мочалов.
Проект рассчитан на три года, сумма выделенного гранта – 95 миллионов рублей.
Регион: Нижний Новгород
Участники автопробега "Кузбасс – Донбасс. Вечный ZOV" побывали в Нижегородской области
Регион: Нижний Новгород
Более 1 тыс. жилых домов в Оренбуржье освободились от воды за сутки
Регион: Оренбург
Продажа билетов на поезд Нижний Новгород - Симферополь открыта с 3 мая
Регион: Нижний Новгород
Заморозки ожидаются в Нижегородской области с 5 по 8 мая
Регион: Нижний Новгород
Вода в Урале опустилась за сутки на 15 см
Регион: Оренбург
Владимир Путин подписал указ о награждении оренбургской семьи
Регион: Оренбург
Народные приметы: 4 мая
Регион: Нижний Новгород
Нижегородцы могут принять участие в публичных слушаниях по исполнению городского бюджета
Регион: Нижний Новгород
Сормовскому району исполнилось 100 лет
Регион: Нижний Новгород
Комментарии